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항공 부분 IRFR9214PBF MOSFET P-찬 드레인-소스 항복 전압 250 Ｖ
| 모델 번호 | IRFR9214PBF |
|---|---|
| 최소 주문 수량 | 1 PC |
| 가격 | 협상 가능 |
| 포장 세부 사항 | 박스 |
| 지불 조건 | L/C (신용장), 전신환 |
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x제품 상세 정보
| 제조사 | 비샤이 | 상품 카테고리 | MOSFET |
|---|---|---|---|
| 기술 | Si | 증가하는 방식 | SMD / SMT |
| 패키지 / 건 | TO-252-3 | 트랜지스터 극성 | P-채널 |
| ID - 연속배수 경향 | 2.7 A | Rds에 - 드레인-소스 저항 | 3 오옴 |
| 강조하다 | IRFR9214PBF 항공 부품,250V 항공기 부품,250V IRFR9214PBF MOSFET |
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제품 설명
항공 부품 IRFR9214PBF MOSFET P-Chan 드레인 소스 항복 전압 250 V
항공 부품 설명:
Vishay의 3세대 전력 MOSFET은 고급 처리 기술을 활용하여 실리콘 면적당 낮은 온 저항을 달성합니다.이 이점은 전력 MOSFET이 잘 알려진 빠른 스위칭 속도 및 견고한 장치 설계와 결합되어 설계자에게 다양한 응용 분야에서 사용할 수 있는 매우 효율적이고 신뢰할 수 있는 장치를 제공합니다.DPAK는 기상, 적외선 또는 웨이브 솔더링 기술을 사용하는 표면 실장용으로 설계되었습니다.직선형 리드 버전(IRFU, SiHFU 시리즈)은 스루홀 장착 애플리케이션용입니다.일반적인 표면 실장 애플리케이션에서 최대 1.5W의 전력 손실 수준이 가능합니다.
항공 부품의 특징:
- 고급 공정 기술
- 완전 눈사태 등급
- 표면 실장(IRFR9214, SiHFR9214)
- 스트레이트 리드(IRFU9214, SiHFU9214)
- P채널
- 빠른 전환
항공 부품 사양:
| 제품 속성 | 속성 값 |
| 제조업체: | 비쉐이 |
| 제품 카테고리: | MOSFET |
| RoHS: | 세부 |
| 기술: | 시 |
| 장착 스타일: | SMD/SMT |
| 패키지/케이스: | TO-252-3 |
| 트랜지스터 극성: | P채널 |
| 채널 수: | 1 채널 |
| Vds - 드레인 소스 항복 전압: | 250V |
| Id - 연속 드레인 전류: | 2.7A |
| Rds On - 드레인 소스 저항: | 3옴 |
| Vgs - 게이트 소스 전압: | - 20V, +20V |
| Vgs th - 게이트 소스 임계 전압: | 4V |
| Qg - 게이트 차지: | 14nC |
| 최소 작동 온도: | - 55℃ |
| 최대 작동 온도: | + 150℃ |
| Pd - 전력 손실: | 50W |
| 채널 모드: | 상승 |
| 시리즈: | IRFR/U |
| 포장: | 튜브 |
| 상표: | 비쉐이 반도체 |
| 구성: | 하나의 |
| 키: | 2.38mm |
| 길이: | 6.73mm |
| 상품 유형: | MOSFET |
| 공장 팩 수량: | 3000 |
| 하위 범주: | MOSFET |
| 너비: | 6.22mm |
| 단위 무게: | 0.011640온스 |
